2026科学仪器开发者大会“集成电路测试技术与应用创新”分场活动成功举办

2026年6月3日上午，2026科学仪器开发者大会“集成电路测试技术与应用创新”分场活动在中关村展示中心会议中心顺利举行。来自科研院所、高校及企业的多位专家学者围绕集成电路测试技术的前沿进展、关键设备研发与产业应用展开深入交流，现场学术氛围浓厚，反响热烈。本次分场活动由中国科学院半导体研究所承办，聚焦集成电路测试技术及其在器件表征、工艺控制、可靠性分析等领域的创新应用。会议于上午9时正式开始，共安排9个高水平专题报告，并设有会间休息及集中交流研讨环节。报告内容丰富，覆盖集成电路测试全链条。

中国科学院上海微系统与信息技术研究所正高级工程师高秀丽首先作了题为《集成电路与器件制备公共研发平台中的工艺表征与分析技术》的报告，系统介绍了公共研发平台如何支撑先进工艺节点的表征需求，并分享了多种原位、非破坏性分析技术的应用案例。

随后，北京大学正高级工程师赵前程带来《MEMS惯性器件工艺误差影响及测试》报告，详细分析了MEMS惯性器件在制造过程中的关键工艺误差来源及其对器件性能的影响，并提出了相应的测试与补偿策略。

深圳中科飞测科技股份有限公司首席科学家黄有为作了《集成电路光学精密套刻测量技术与设备》的报告，重点介绍了高精度光学套刻测量在光刻工艺控制中的核心作用，以及国产化测量设备的最新进展。

中国科学院微电子研究所正高级工程师高见头分享了《具有HMM模块的TLP测试设备开发》的工作，展示了将HMM（Human Metal Model）模块集成于TLP（传输线脉冲）测试系统中的创新方案，为芯片ESD防护能力评估提供了更完备的测试手段。

短暂茶歇后，会议进入下半场。上海理工大学教授朱亦鸣团队带来了《太赫兹近场技术及其在半导体检测领域中的应用》的报告，阐述了太赫兹近场成像与光谱技术在半导体材料特性、掺杂分布及缺陷检测中的独特优势。

北京大学副教授王茂俊作题为《宽温区下p-GaN HEMT在桥臂电路中的串扰及误开启》的报告，针对功率电子器件在宽温度范围内的工作可靠性问题，深入剖析了p-GaN HEMT在桥臂结构中的串扰机理及误开启抑制方法。

中国科学院电工研究所副研究员张利新报告了《基于热场电子枪的多束电子源研制进展》，介绍了多束电子源在提升检测通量方面的潜力，并展示了团队在热场发射枪设计及束流调控方面的最新成果。

中国科学院半导体研究所助理研究员丁阳以《透射电子显微镜（TEM）与聚焦离子束（FIB）技术在半导体材料与器件分析中的应用》为题，结合具体案例，展示了TEM/FIB联用技术在失效分析、界面结构表征及纳米级样品制备中的关键作用。

上午11时50分，会议进入集中交流研讨环节。与会代表围绕集成电路测试技术的发展瓶颈、国产设备替代路径、开放研发平台资源共享等议题踊跃发言。本次分场活动不仅集中展示了我国在集成电路测试技术领域的最新科研成果与应用探索，也为科研人员、设备开发者与产业用户之间搭建了高效的对话平台。与会者一致认为，加强从表征、测试到可靠性分析的协同创新，是推动集成电路产业自主可控发展的重要支撑。