集成电路设备与仪器科技发展论坛在武汉成功召开

6月13日，集成电路设备与仪器科技发展论坛在武汉圆满落下帷幕。本次论坛由中国仪器仪表学会主办，中国仪器仪表学会集成电路测量与仪器分会、华中科技大学、哈尔滨工业大学、华中科技大学先进光刻机技术教育部工程研究中心、深圳中科飞测科技股份有限公司联合承办。汇聚了全国高校、科研院所、产业链上下游企业的百余位专家学者，围绕设备研发、工艺突破、量检测技术等核心议题展开深度研讨，为我国集成电路装备自主可控凝聚行业合力。

论坛由中国仪器仪表学会集成电路测量与仪器分会主任委员、华中科技大学刘世元教授主持开幕，华中科技大学校长、中国仪器仪表学会理事长、中国工程院院士尤政致开幕辞，武汉大学教授、中国科学院院士刘胜，天津大学教授、中国仪器仪表学会副理事长曾周末，中国石油大学（华东）副校长于连栋教授等众多行业专家出席本次会议。

尤政院士在致辞中指出，当前全球集成电路产业进入“延续摩尔、超越摩尔”并行阶段，高端设备与测试仪器是芯片产业的“工业母机”与“测量标尺”。长期以来，高端光刻、精密检测等核心装备被国外垄断，是我国产业发展的关键“卡脖子”环节。国内产学研协同攻关虽取得阶段性突破，但在设备稳定性、工艺适配性、仪器精准度等方面与国际顶尖水平仍有明显差距。他提出，要坚守原始创新导向，深耕底层技术、产出原创成果；深化产教融合、科教协同，打通创新闭环、破解人才难题；坚持开放协同、聚力攻坚，构建产业创新生态，期待论坛催生务实合作，推动产业提质增效。

围绕集成电路装备技术攻关、量检测体系建设、产业链协同发展等核心方向，多位院士与行业专家带来系列重磅主旨报告，从基础理论、技术突破到产业实践展开全方位深度分享。

哈尔滨工业大学教授、中国仪器仪表学会副理事长、中国工程院院士谭久彬在《新一代国家测量体系与仪器产业体系》主旨报告中，对强国建设、新技术革命与产业变革背景下仪器科技面临的挑战进行解读。他提出仪器强国是科技、制造与质量强国的底层基础，我国工业测量与计量体系脱节、高端仪器供给不足制约产业升级，建议构建基于基本量常数定义的新一代国家计量体系，推动工业测量向数字化、智能化转型，以需求牵引产业发展，支撑高端制造精度跨越。

华中科技大学教授、中国工程院院士陈学东题为《GKJ动力学设计》的报告聚焦纳米级制造装备设计范式升级。他指出传统设计方法难以支撑亚纳米级精度要求，光刻机等高端装备面临极微弱扰动、多场多维度耦合、长时服役性能退化三大难题，团队提出“动力学设计”新范式，结合全域多场耦合研究、AI数据融合与数字孪生技术构建优化体系，成果可辐射支撑各类高端装备发展。

工艺与架构创新是集成电路产业升级的核心抓手，科研院所与产业一线专家围绕不同技术赛道分享了最新实践进展。中国科学院微电子研究所研究员叶甜春作《集成电路器件工艺突破创新》报告，梳理“一代技术、一代工艺、一代设备”发展规律，介绍多节点工艺核心突破，其自主工艺体系支撑国内12英寸关键装备研制，成果已实现产业化应用。

长江存储首席科学家霍宗亮作《三维存储芯片集成电路工艺与量测创新发展之路》报告，指出三维集成是后摩尔时代存储芯片升级核心路径，解读晶栈（Xtacking）架构技术路径，剖析三维堆叠的工艺与量测双重挑战，为三维芯片制造创新提供参考方向。北京航空航天大学副校长赵巍胜教授作《我国自旋芯片设备与仪器产业链发展：十年积累、前景可期》报告，回顾产业链十年国产化发展历程，其孵化的装备仪器成果已进入国际头部企业供应链，第三代自旋芯片发展前景广阔。中国电子科技集团有限公司测试仪器首席科学家年夫顺作《集成电路与三维封装器件测试技术进展》报告，介绍了国内四大类测试仪器的成体系自主化成果，展望了硅光集成、AI赋能测试等行业方向。

上海大学副校长张建华教授题为《极端光刻胶检测新方法新装置》的报告针对极端工艺条件下的性能检测痛点，提出了全新检测方法与配套装置，攻克了精准检测的技术瓶颈，有效支撑先进光刻工艺的研发与量产工作。中国科学院微电子研究所韦亚一研究员作《7nm及以下技术节点芯片的光刻图形化方案》报告，围绕先进节点光刻精度难题，详解多次曝光技术的选型与应用逻辑，结合量产案例给出实操方案，助力先进制程光刻工艺规模化落地。深圳中科飞测黄有为首席科学家作《3DIC精密量检测技术与设备》报告，推出成套解决方案，攻克了3DIC集成中的多项量测难题。中科院微电子所周维虎研究员作《集成电路量检测技术研究进展》报告，展示微纳尺度检测新技术，适配当下集成电路工艺检测需求。西安交通大学杨树明教授作《集成电路前道量检测技术及设备》报告，梳理前道量测主流技术，并预判未来装备发展方向。

本次论坛覆盖集成电路设备与仪器全产业链核心环节，为产学研各界搭建了高端交流对接平台，将进一步凝聚行业共识，推动上下游协同创新，为我国集成电路设备与仪器领域实现高水平科技自立自强注入强劲动力。